知の環境基盤研究部門

Reported papers (発表論文)

2002

1) J. Isoya, R. Kosugi, K. Fukuda, S. Yamasaki, "ESR characterization of SiC bulk crystals and SiO₂/SiC interface", Materials Science Forum 389-393, 1025 (2002).
2) N. Mizuochi, J. Isoya, S. Yamasaki, H. Takizawa, H. Takizawa, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, "EPR study of single silicon vacancy-related defects in 4H- and 6H-SiC", Materials Science Forum 389-393, 497 (2002).
3) N. Mizuochi, S. Yamasaki, H. Takizawa, N. Morishita, T. Ohsima, H. Itoh, J. Isoya, "Continuous-wave and pulsed EPR study of negatively charged silicon vacancy with S = 3/2 and C_3v symmetry in n-type 4H-SiC", Phys. Rev. B 66, 235202 (2002).

2003

4) J. Isoya, T. Oshima, A. Ohi, N. Morishita, H. Itoh, "ESR characterization of activation of implanted phosphorous ions in silicon carbide", Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B 206C, 965 (2003).
5) T. Umeda, Y. Mochizuki, K. Okonogi, K. Hamada "Electrically detected magnetic resonance of ion-implantation damage centers in silicon large-scale integrated circuits", J. Appl. Phys. 94, 7105-7111 (2003).
6) N. Mizuochi, S. Yamasaki, H. Takizawa, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya, "EPR studies of the isolated negatively charged silicon vacancies in n-type 4H- and 6H-SiC: Identification of C_3v symmetry and silicon sites", Phys. Rev. B 68, 165206 (2003).
7) J. Isoya, T. Ohshima, N. Morishita, T. Kamiya, H. Itoh, S. Yamasaki "Pulsed EPR studies of shallow donor impurities in SiC", Physica B 340-342, 903 (2003).

2004

8) W. Futako, N. Mizuochi, S. Yamasaki, "In situ ESR observation of interface dangling bond formation processes during ultrathin SiO₂ growth on Si(111)", Phys. Rev. Lett. 92, 105505 (2004).
9) T. Umeda, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, T. Kamiya, "EPR identification of two types of carbon vacancies in 4H-SiC", Phys. Rev. B 69, 121201(R) (2004).
10) T. Umeda, Y. Ishitsuka, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, T. Kamiya, "EPR and pulsed ENDOR study of EI6 and related defects in 4H-SiC", Materials Science Forum 457-460, 465-468 (2004).
11) E. Abe, K. M. Itoh, J. Isoya, S. Yamasaki, "Electron-spin phase relaxation of phosphorous donors in nuclear-spin-enriched silicon", Phys. Rev. B 70, 033204 (2004).
12) T. Umeda, A. Toda, Y. Mochizuki, "Measurement of process-induced defects in Si sub-micron devices by combination of EDMR and TEM", The European Physical Journal - Applied Physics 27, 13-20 (2004).
13) M. Katagiri, J. Isoya, S. Koizumi, H. Kanda, "Electron spin resonance characterization of phosphorus-doped CVD diamond films", phys. stat. sol. (a) 201, 2451-2456 (2004).
14) Y. Ohba, M. Nishimura, N. Mizuochi, S. Yamauchi, "Structure and Electronic States in a System of Two Nitroxide Radicals Linked Fullerene Studied by Two Dimensional Pulsed Nutation and Time-Resolved Electron Paramagnetic Resonance Spectroscopy", Applied Magnetic Resonance 26, 117-134 (2004).
15) N. Mizuochi, H. Watanabe, J. Isoya, H. Okushi, S. Yamasaki, "Hydrogen-related defects in single crystalline CVD homoepitaxial diamond film studied by EPR", Diamond and Related Materials 13, 765-768 (2004).
16) N. Mizuochi, M. Ogura, H. Watanabe, J. Isoya, H. Okushi, S. Yamasaki, "EPR study of hydrogen-related defects in Boron doped p-type CVD homoepitaxial diamond films", Diamond and Related Materials 13, 2096-2099 (2004).
17) M. Suzuki, S. Koizumi, M. Katagiri, H.Yoshida, N. Sakuma, T. Ono, T. Sakai, "Electrical characterization of phosphorus-doped n-type homoepitaxial diamond layers", Diamond and Related Materials 13, 2037-2040 (2004).
18) N. T. Son, E. Janzen, J. Isoya, S. Yamasaki, "Hyperfine interaction of the nitrogen donor in 4H-SiC", Phys. Rev. B 70, 193207 (2004).
19) T. Umeda, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, T. Kamiya, A. Gali, P. Deak, N. T. Son, E. Janzen, "EPR and theoretical studies of positively-charged carbon vacancy in 4H-SiC", Phys. Rev. B 70, 235212 (2004).
20) M. Katagiri, J. Isoya, S. Koizumi, H. Kanda, "Lightly phosphorus-doped homoepitaxial diamond films grown by chemical vapor deposition", Appl. Phys. Lett. 85, 6365 (2004).

2005

21) N. T. Son, A. Henry, J. Isoya, E. Janzen, "Eelectron paramagnetic resonance of shallow phosphorous centers in 4H- and 6H-SiC", Material Science Forum 483-485, 515-518 (2005).
22) T. Umeda, Y. Ishitsuka, J. Isoya, N. T. Son, E. Janzen, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, A. Gali, "EPR and theoretical studies of negatively charged carbon vacancy in 4H-SiC", Phys. Rev. B 71 193202 (2005).
23) M. Ogura, N. Mizuochi, S. Yamasaki, H. Okushi, "Passivation effects of deuterium exposure on boron-doped CVD homoepitaxial diamond", Diamond and Related Materials 14, 2023-2026 (2005).
24) Y. Yamazaki, K. Ishikawa, N. Mizuochi, S. Yamasaki, "Structural change in diamond by hydrogen plasma treatment at room temperature", Diamond and Related Materials 14, 1939-1942 (2005).
25) N. Mizuochi, W. Futako, S. Yamasaki, "Experimental Observation of Formation Processes in Si/SiO₂ Inerface Defects using in-situ UHV-ESR System" 2005 MRS Spring Meeting Proceedings, v. 864, paper number E3.1.
26) N. Mizuochi, S. Yamasaki, H. Takizawa, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, T. Umeda, J. Isoya, "Spin multiplicity and charge state of a silicon vacancy (T_v_2a) in 4H-SiC determined by pulsed ENDOR", Phys. Rev. B 72, 235208 (2005).

2006

27) N. T. Son, P. Carlsson, J. ul Hassan, E. Janzen, T. Umeda, J. Isoya, A. Gali, M. Bockstedte, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, "Divacancy in 4H-SiC", Phys. Rev. Lett. 96, 055501 (2006).
28) N. T. Son, A. Henry, J. Isoya, M. Katagiri, T. Umeda, A. Gali, E. Janzen,"Eelectron paramagnetic resonance and theoretical studies of shallow phosphorous centers in 3C-, 4H- and 6H-SiC", Phys. Rev. B 73, 075201 (2006).
29) N. Mizuochi, M. Ogura, J. Isoya, H. Okushi, S. Yamasaki, "Hydrogen passivation effects on carbon dangling bond defects accompanying a nearby hydrogen atom in p-type CVD diamond", Physica B 376-377, 300-303 (2006).

30) T. Umeda, S. Hagiwara, M. Katagiri, N. Mizuochi, J. Isoya, A web-based database system for EPR centers in Semiconductors", Physica B 376-377, 249-252 (2006).
31) J. Isoya, M. Katagiri, T. Umeda, S. Koizumi, H. Kanda, N.T. Son, A. Henry, A. Gali, E. Janzen, "Pulsed EPR studies of Phosphorus shallow donors in diamond and SiC", Physica B 376-377, 358-361 (2006).
32) N.T. Son, T. Umeda, J. Isoya, A. Gali, M. Bockstedte, B. Magnusson, A. Ellison, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen, "Identification of divacancies in 4H-SiC", Physica B 376-377, 334-337 (2006).
33) J. Isoya, M. Katagiri, T. Umeda, N.T. Son, A. Henry, E. Janzen, T. Ohshima, N. Morishita, H. Itoh, "Shallow phosphorous donors in 3C-, 4H-, and 6H-SiC", Materials Science Forum 527-529, 593-596 (2006).
34) T. Umeda, N.T. Son, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen, "Electron paramagnetic resonance of the HEI4/SI5 center in 4H-SiC, Materials Science Forum 527-529, 543-546 (2006).
35) N.T. Son, T. Umeda, J. Isoya, A. Gali, M. Bockstedte, B. Magunsson, A. Ellison, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen, "Divacancy model for P6/P7 centers in 4H- and 6H-SiC", Materials Science Forum 527-529, 527-530 (2006).
36) A. Gali, M. Bockstdete, N.T. Son, T. Umeda, J. Isoya, E. Janzen, "Divacancy and its identification : Theory", Materials Science Forum 527-529, 523-526 (2006).
37) M. Bockstedte, A. Gali, T. Umeda, N.T. Son, J. Isoya, E. Janzen, "Signature of the negative carbon vacancy-antisite complex", Materials Science Forum 527-529, 539-542 (2006).
38) N. Mizuochi, H. Watanabe, J. Niitsuma, T. Sekiguchi, H. Okushi, S. Yamasaki, "Hydrogen-vacancy related defect in CVD homoepitaxial diamond films studied by electron paramagnetic resonance and cathodoluminescence" Appl. Phys. Lett, 88, 091912 (2006).
39) T. Umeda, N. T. Son, J. Isoya, E. Janzen, T. Ohshima, N. Morishita, H. Itoh, A. Gali, M. Bockstdete, "Identification of the carbon antisite-vacancy pair in 4H-SiC", Phys. Rev. Lett. 96, 145501 (2006).
40) H. Watanabe, H. Kume, N. Mizuochi, S. Yamasaki, S. Kanno, H. Okushi, "Nitrogen incorporation in a homoepitaxial diamond thin film" Diamond and Related Materials, in press.
41) T. Umeda, K. Okonogi, K. Ohyu, S. Tsukada, K. Hamada, S. Fujieda, Y. Mochizuki, "Single silicon vacancy-oxygen complex defect and variable retention time phenomenon in dynamic random access memories", Appl. Phys. Lett, 88, 253504 (2006).

2007

43) P. Carlsson, N.T. Son, T. Umeda, J. Isoya, E. Janzen, "Deep acceptor level of the carbon vacancy-carbon antisite pairs in 4H-SiC", Mater. Sci. Forum 556-557, 449-452 (2007).
44) T. Umeda, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya, "Electron paramagnetic resonance study of carbon antisite-vacancy pair in p-type 4H-SiC", Mater. Sci. Forum 556-557, 453-456 (2007).
45) T. Umeda, J. Isoya, T. Ohshima, N. Morishita, H. Itoh, A. Gali, "Identification of positively charged carbon antisite-vacancy pairs in 4H-SiC", Phys. Rev. B 75, 245202 (2007).
46) N.T. Son, I.G. Ivanov, A. Kuznetsov, B.G. Svensson, Q.X. Zhao, M. Willander, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya, E. Janzen, R. Yakimova, "Magnetic resonance studies of defects in electron-irradiated ZnO substrates", Physica B 401-402, 507-510 (2007).
47) N.T. Son, I.G. Ivanov, A. Kuznetsov, B.G. Svensson, Q.X. Zhao, M. Willander, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya, E. Janzen, R. Yakimova, "Recombination centers in as-grown and electron-irradiated ZnO substrates", J. Appl. Phys. 102, 093504(1-5) (2007).

2008

48) N.T. Son, I.G. Ivanov, A. Kuznetsov, B.G. Svensson, Q.X. Zhao, M. Willander, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya, E. Janzen, R. Yakimova, "Common point defects in as-grown ZnO substrates studied by optical detection of magnetic resonance", J. Cryst. Growth 310, 1006-1009 (2008).
49) P. Neumann, N. Mizuochi, F. Rempp, P. Hemmer, H. Watanabe, S. Yamasaki, V. Jacques, T. Gaebel, F. Jelezko, J. Wrachtrup, "Multipartite Entanglement Among Single Spins in Diamond", Science 320, 1326-1329 (2008).
50) J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, N.T. Son, E. Janzen, T. Ohshima, "EPR identification of intrinsic defects in SiC", phys. stat. sol. (b) 245, 1298-1314 (2008).

2009

51) T. Umeda, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, E. Janzen, A. Gali, "Dicarbon anstisite defects in n-type 4H-SiC", Phys. Rev. B 79, 115211 (2009).
52) G. Balasubramanian, P. Neumann, D. Twitchen, M. Markham, R. Kolesov, N. Mizuochi, J. Isoya, J. Achard, J. Beck, J. Tissler, V. Jacques, F. Jelezko, J. Wrachtrup, "Ultralong spin coherence time in isotopically engineered diamond", Nature materials 8, 383-387 (2009).
53) N. Tsubouchi, M. Ogura, N. Mizuochi, H. Watanabe, "Electrical properties of a B doped layer in diamond formed by hot B implantation and high-temperature annealing", Diamond and Related Materials 18, 128-131 (2009).
54) J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, N.T. Son, E. Janzen, T. Ohshima, "EPR identification of defects and impurities in SiC: To be decisive", Materials Science Forum 600-603, 279-284 (2009).
55) T. Umeda, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya, "Photo-EPR study of vacancy-type Defects in irradiated n-type 4H-SiC", Materials Science Forum 600-603, 409-412 (2009).
56) J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, T. Ohshima, "pulsed EPR studies of the Tv2a center in 4H-SiC", Materials Science Forum 615-617, 353-356 (2009).
57) A. Gali, T. Umeda, E. Janzen, N. Morishita, T. Ohshima, J. Isoya, "Identification of the di-darbon antisite defect in n-type 4H-SiC", Materials Science Forum 615-617, 361-364 (2009).
58) P. Carlsson, N.T. Son, J. Isoya,, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen, "Photo-EPR studies on low-energy electron-irradiated 4H-SiC", Materials Science, Forum 615-617, 401-404 (2009).
59) N.T. Son, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, A. Gali, E. Janzen, "Defects introduced by electron-irradiation at low temperatures in SiC", Materials Science Forum 615-617, 377-380 (2009).
60) N. Mizuochi, P. Neumann, F. Rempp, J. Beck, V. Jacques, P. Siyushev, K. Nakamura, D. Twitchen, H. Watanabe, S. Yamasaki, F. Jelezko, J. Wrachtrup, "Coherence of single spins coupled to a nuclear spin bath of varying density", Phys. Rev. B 80, 041201(R) (2009).
61) N.T. Son, C.G. Hemmingsson, T. Pakova, K.R. Evans, A. Usui, N. Morishita, T. Ohshima, J. Isoya, B. Monemar, E. Janzen, "Identification of the gallium vacancy-oxygen pair defect in GaN", Phys. Rev. B 80, 153202 (2009).
62) N.T. Son, E. Janzen, J. Isoya, N. Morishita, H. Hanaya, H. Takizawa, T. Ohshima, A. Gali, "Identification of Frenkel-pair defect in electron-irradiated 3C SiC", Phys. Rev. B 80, 125201 (2009).

2010

63) T. Umeda, J. Isoya, T. Ohshima, S. Onoda, N. Morishita, K. Okonogi, S. Shiratake, "Fluorine-vacancy defect in fluorine-implanted silicon studied by electron paramagnetic resonance", Appl. Phys. Lett. 97, 041911 (2010).

Top

International Conferences (国際学会)

2002

c1) J. Isoya, T. Oshima, A. Ohi, N. Morishita, H. Itoh, “ESR characterization of activation of implanted phosphorous ions in silicon carbide”, The 13th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (Sep. 1-6, 2002, Kobe).
c2) J. Isoya, T. Oshima, A. Ohi, N. Morishita, H. Itoh, “EPR characterization of silicon carbide implanted with phosphorous ions”, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2002) (Sep. 1-6, 2002, Linkoping, Sweden).

2003

c3) J. Isoya, T. Ohshima, N. Morishita, T. Kamiya, H. Itoh, S. Yamasaki, “Pulsed EPR studies of shallow donor impurities in SiC”, 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) (July 28-August 1, 2003, Aarhus, Denmark).
c4) T. Umeda, A. Toda, Y. Mochizuki, “Measurement of process-induced defects in Si sub-micron devices by combination of EDMR and TEM (invited)”, 10th International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-X) (Sep. 29-Oct. 2, 2003, Batz sur mer, France); Report (4 pages in Japanese).
c5) T. Umeda, Y. Ishitsuka, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, T. Kamiya, “EPR and pulsed ENDOR study of EI6 and related defects in 4H-SiC”, 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2003) (Oct. 5-10, 2003, Lyon, France); Report (2 pages in Japanese).
c6) N. Mizuochi, H. Watanabe, J. Isoya, H. Okushi, S. Yamasaki, “Hydrogen-related defect in single crystalline CVD homoepitaxial diamond film studied by EPR”, 14th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide (DIAMOND2003) (Sep. 7-12, 2003, Salzburg, Austria).

2004

c7) M. Katagiri, J. Isoya, S. Koizumi and H. Kanda, “Electron spin resonance characterization of phosphorus-doped CVD diamond films”, Surface and bulk defects in CVD diamond films, IX (Feb. 18-21, 2004, Hasselt, Belgium).
c8) N. Mizuochi, M. Ogura, H. Watanabe, J. Isoya, H. Okushi, S. Yamasaki, “EPR study of hydrogen-related defects in boron doped p-type CVD homoepitaxial diamond films”, The 9th International Conference on New Diamond Science and Technology (March 26-29, 2004, Tokyo, Japan).
c9) W. Futako, N. Mizuochi, S. Yamasaki, “Initial Stage of Defect Formation Process at Si/SiO2 Interface Detected by in-situ UHV-ESR”, 2004 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices, (May 26-28, 2004, Tokyo, Japan)
c10) T. Umeda, N. T. Son, Y. Ishitsuka, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen, “Eelectron paramagnetic resonance study of negatively-charged carbon vacancy in 4H-SiC”, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2004) (Aug. 31-Sep.4, 2004, Bologna, Italy); Report(6 pages in Japanese).
c11) N. T. Son, A. Henry, J. Isoya, E. Janzen, “Eelectron paramagnetic resonance of shallow phosphorous centers in 4H- and 6H-SiC”, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2004) (Aug. 31-Sep.4, 2004, Bologna, Italy).
c12) J. Isoya, “ESR of phosphorus doped diamond (invited)”, 15th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide (DIAMOND2004), (Sep. 12-17, 2004, Riva Del Garda, Italy).
c13) S. Koizumi, M. Katagiri, H. Kanda, “Electrical properties of lightly phosphorus doped diamond thin films”, 15th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide (DIAMOND2004), (Sep. 12-17, 2004, Riva Del Garda, Italy).
c14) M. Suzuki, S. Koizumi, M. Katagiri, H. Yoshida, N. Sakuma, T. Sakai, “Electrical properties of phosphorus doped CVD homoepitaxial diamond”, 15th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide (DIAMOND2004), (Sep. 12-17, 2004, Riva Del Garda, Italy).
c15) N. Mizuochi, H. Watanabe, J. Isoya, H. Okushi, S. Yamasaki, “Dilution ratio ([CH4]/[H2]) dependence of defects in CVD homoepitaxial diamond films”, 15th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide (DIAMOND2004) , (Sep. 12-17, 2004, Riva Del Garda, Italy).

2005

c16) N. Mizuochi, W. Futako, S. Yamasaki, “Experimental observation of formation processes in Si/SiO2 interface defects using in-situ UHV-ESR system (invited)”, 2005 Materials Research Society Spring Meeting (March 28-April 1, 2005, San Francisco, USA).
c17) N. Mizuochi, H. Watanabe, H. Kato, J. Isoya, H. Okushi, S. Yamasaki, “Nature of the carbon dangling bond defect accompanying a hydrogen atom in CVD homoepitaxial diamond films studied by EPR and CL” The 10th International Conference on New Diamond Science and Technology (ICNDST-10) (May 11-14, 2005, Tsukuba, Japan)
c18) M. Ogura, N. Mizuochi, H. Okushi, S. Yamasaki “Passivation effects of deuterium exposure of B-doped CVD homoepitaxial diamond films.” The 10th International Conference on New Diamond Science and Technology (ICNDST-10) (May 11-14, 2005, Tsukuba, Japan)
c19) M. Katagiri, J. Isoya, S. Koizumi, H. Kanda, “Electron spin resonance characterization of defects in phosphorus-doped diamond films”, The 10th International Conference on New Diamond Science and Technology (May 11-14, 2005, Tsukuba, Japan).
c20) M. Suzuki, S. Koizumi, M. Katagiri, H. Yoshida, N. Sakuma, T. Ono, T. Sakai, “A study of doping properties and electrical properties of phosphorus doped n-type homoepitaxial diamond layers”, The 10th International Conference on New Diamond Science and Technology (May 11-14, 2005, Tsukuba, Japan).
c21) N. Mizuochi, H. Kato, H. Watanabe, J. Isoya, H. Okushi, S. Yamasaki, “EPR and CL study of the carbon dangling bond defect accompanying a hydrogen atom in CVD homoepitaxial diamond films”, The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23) (July 24-29, 2005, Awaji-island, Japan).
c22) Y. Yamazaki, K. Ishikawa, S. Samukawa, N. Mizuochi, S. Yamasaki “Defects creation in diamond by hydrogen plasma treatment at room temperature” The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23) (July 24-29, 2005, Awaji-island, Japan).
c23) J. Isoya, M. Katagiri, T. Umeda, S. Koizumi, H. Kanda, N. T. Son, A. Henry, A. Gali, E. Janzen, “Pulsed EPR studies of phosphorus shallow donors in diamond and SiC”, The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23) (July 24-29, 2005, Awaji-island, Japan).
c24) T. Umeda, S. Hagiwara, M. Katagiri, N. Mizuochi, J. Isoya, “Development of web-based database system for EPR centers in semiconductors”, The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23) (July 24-29, 2005, Awaji-island, Japan).
c25) N. T. Son, T. Umeda, J. Isoya, A. Gali, M. Bockstedte, B. Magnusson, A. Ellison, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen, “Identification of divacancies in 4H-SiC”, The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23) (July 24-29, 2005, Awaji-island, Japan).
c26) M. Katagiri, J. Isoya, T. Umeda, S. Koizumi, H. Kanda, “ESR characterisation of phosphorus donors in n-type diamond”, 16th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (DIAMOND2005), (Sep. 11-16, 2005, Toulouse, France).
c27) Y. Yamazaki, K. Ishikawa, N. Mizuochi, S. Yamasaki,“Structural properties of diamond surface defective layer caused by hydrogen exposure”, 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide (DIAMOND2005), (Sep. 11-16, 2005, Toulouse, France).
c28) H. Watanabe, H. Kume, N. Mizuochi, H. Okushi, S. Yamasaki, “Nitrogen Incorporation in Homoepitaxial Diamond Thin Film”, 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide (DIAMOND2005), (Sep. 11-16, 2005, Toulouse, France).
c29) J. Isoya, M. Katagiri, T. Umeda, N.T. Son, A. Henry, E. Janzen, T. Ohshima, N. Morishita, H. Itoh, “Shallow phosphorous donors in 3C-, 4H-, and 6H-SiC”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2005), (Sep. 17-23, 2005, Pittsburgh, USA).
c30) T. Umeda, N.T. Son, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen, “Electron paramagnetic resonance of the SI5 center in 4H-SiC”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2005), (Sep. 17-23, 2005, Pittsburgh, USA); Report (7 pages in Japanese).
c31)
c32) N.T. Son, T. Umeda, J. Isoya, A. Gali, M. Bockstedte, B. Magunsson, A. Ellison, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen, “Divacancy model for P6/P7 centers in 4H- and 6H-SiC”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2005), (Sep. 17-23, 2005, Pittsburgh, USA).
c33) M. Bockstedte, A. Gali, T. Umeda, N.T. Son, J. Isoya, E. Jazen, “Signature of the negative carbon vacancy-antisite complex”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2005), (Sep. 17-23, 2005, Pittsburgh, USA).
c34) A. Gali, M. Bockstedte, N.T. Son, T. Umeda, J. Isoya, E. Janzen, “Divacancy and its identification : Theory”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2005), (Sep. 17-23, 2005, Pittsburgh, USA).

2006

c35) K. Okonogi, K. Ohyu, T. Umeda, H. Miyake, S. Fujieda, “Improvement of Data Retention Time Property by Reducing Vacancy-Type Point Defect in DRAM Cell Transistor”, International Reliability Physics Symposium 2006 (Mar. 26-30, 2006, San Jose, USA).
c36) T. Umeda, K. Okonogi, K. Ohyu, S. Tsukada, K. Hamada, Y. Mochizuki, S. Fujieda, “A single vacancy-oxygen complex defect and variable retention time phenomenon in silicon LSI memories”, The 2006 Gordon Research Conference on Defects in Semiconductors (July 2-7, 2006, New London, USA), presentation material(PDF 93KB).
c37) T. Umeda, S. Hagiwara, N. Mizuochi, J. Isoya, “Open web-based databases for defects in semiconductors”, The 2006 Gordon Research Conference on Defects in Semiconductors (July 2-7, 2006, New London, USA), presentation material (PDF 232KB).
c38) T. Umeda, J. Isoya, T. Ohshima, N. Morishita, H. Itoh, “Electron paramagnetic resonance study of carbon antisite-vacancy pair in p-type 4H-SiC”, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2006), (Sep. 3-7, 2006, Newcastle upon Tyne, UK), Report (6 pages in Japanese).
c39) P. J. Carlsson, N. T. Son, T. Umeda, J. Isoya, E. Janzen, “Deep acceptor levels of the carbon vacancy-carbon antisite pairs in 4H-SiC”, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2006), (Sep. 3-7, 2006, Newcastle upon Tyne, UK).
c40) K. Ohyu, T. Umeda, K. Okonogi, S. Tsukada, M. Hidaka, S. Fujieda, Y. Mochizuki, “Quantitative identification for the physical origin of variable retention time: a vacancy-oxygen complex defect model”, International Electron Device Meeting (IEDM2006), (Dec. 11-13, 2006, San Francisco, USA).

2007

c41) N.T. Son, I.G. Ivanov, A. Kuznetsov, B.G. Svensson, Q.X. Zhao, M. Willander, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya, E. Janzen, R. Yakimova, "Magnetic resonance studies of defects in electron-irradiated ZnO substrates", 24th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-24) (July 22-27, 2007, Albuquerque, USA).
c42) J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, N. T. Son, E. Janzen, T. Ohshima, “EPR identification of defects and impurities in SiC: To be secisive”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2007), (Oct. 14-19, 2007, Otsu, Japan).
c43) T. Umeda, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, J. Isoya, “Photo-EPR study of vacancy-type defects in irradiated n-type 4H-SiC”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2007), (Oct. 14-19, 2007, Otsu, Japan).

2008

c44) J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, T. Ohshima, “Pulsed EPR studies of the Tv2a center in 4H-SiC”, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2008), (Sep. 7-11, 2008, Barcelona, Spain).
c45) T. Umeda, K. Esaki, R. Kosugi, K. Fukuda, T. Ohshima, J. Isoya, “Point defects in 4H-SiC MOSFET studied by electrically detected magnetic resonance”, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2008), (Sep. 7-11, 2008, Barcelona, Spain).
c46) A. Gali, T. Umeda, E. Janzen, N. Morishita, T. Ohshima, J. Isoya, “Identification of the di-carbon antisite defect in n-type 4H-SiC”, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2008), (Sep. 7-11, 2008, Barcelona, Spain).
c47) P. Carlsson, N.T. Son, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, H. Itoh, E. Janzen, “Photo-EPR studies on low-energy electron-irradiated 4H-SiC”, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2008), (Sep. 7-11, 2008, Barcelona, Spain).

2009

c47) N. Mizuochi, “Coherence among single spins of NV center in Diamond”(invited), Joint JSPS-ESF International conference on Nanoscience and Engineering in Superconductivity, (Mar. 23-26, 2009, Tsukuba, Japan).
c48) J. Isoya, S. Yamsaki, T. Umeda, “Investigation of metastability of hydrogenated amorphous silicon by pulsed EPR” (invited), 1st International Workshop on the Staebler-Wronski-Effect, (Apr. 20 22, 2009, Berlin, Germany).
c49) J. Isoya, T. Umeda, N. Mizuochi, N. l DefeT. Son, E. Janzen, and T. Ohshima, “Comparison of Structure Relaxation in Fundamentacts Between Diamond and SiC”, The 60th De Beers Diamond Conference (Jul. 7-10, 2009, University of Warwick, UK).
c50) A. M. Edmonds, T. Umeda, J. Isoya, H. Sumiya, K. Nakamura, H. Kanda, T. Taniguchi, N. Morishita, H. Hanaya, S. Onoda, S. Sato, T. Ohshima, “Continuous-wave and pulsed EPR studies of ensemble Nitrogen-Vacancy centers”, The 61st Diamond Conference (Jul. 7-10, 2009, University of Warwick, UK).
c51) U. F. S. D’Haenens-Johanson, S. Liggins, A. M. Edmonds, M. E. Newton, J. Isoya, P. M. Martineau, and D. J. Twitchen, “Spin-lattice relaxation times for SiV0 and NV- during optical excitation”, The 61st Diamond Conference, (Jul. 7-10, 2009, University of Warwick, UK).
c52) N. Mizuochi, P. Neumann, F. Rempp, K. Nakamura, H. Watanabe, S. Yamasaki, F. Jelezko, J. Wrachtrup, “Coherence of single electron and nuclear spins in Diamond”, The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18) (Jul. 19-24, 2009, Kobe, Japan).
c53) N. Mizuochi, P. Neumann, F. Rempp, J. Beck, V. Jacques, P. Siyushev, K. Nakamura, D. Twitchen, H. Watanabe, S. Yamasaki, F. Jelezko, J. Wrachtrup, “Coherence control of single spins in Diamond”, 20th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide, (Sep. 6-10, 2009, Athens, Greece).
c54) N. Mizuochi, P. Neumann, F. Rempp, K. Nakamura, D. Twitchen, H. Watanabe, S. Yamasaki, F. Jelezko, J. Wrachtrup, “Entanglement and coherence properties of single spins in diamond”, International Conference on Quantum Information Processing and Communication (QIPC 2009) (Sep. 21-25, 2009, Roma, Italy).
c55) N. Mizuochi, “Quantum information processing and memory by single spins in Diamond” (invited), Japanese-German Frontiers of Science Symposium, (Oct. 30-Nov. 1 2009, Tokyo, Japan).
c56) N. Mizuochi, P. Neumann, F. Rempp, K. Nakamura, D. Twitchen, H. Watanabe, S. Yamasaki, F. Jelezko, J. Wrachtrup, “Coherence of single spins coupled to a nuclear spin bath in diamond”, International Conference on Quantum Information and Technology, (Dec. 2-5, 2009, Tokyo).

2010

c57)

Top

Domestic Presentations (国内学会)

2002

d1) 水落憲和、二子渉、西澤正泰、安田哲二、磯谷順一、山崎聡「低温UHV-ESR装置の開発とSi(111)-7×7表面電子状態研究への応用」第49回応用物理学関係連合講演会（3/27-30, 2002, 東海大学）
d2) 二子渉、水落憲和、西澤正泰、安田哲二、磯谷順一、山崎聡「Si基板上での極薄SiO2生長時における界面欠陥のESRその場観察」第49回応用物理学関係連合講演会（3/27-30, 2002,東海大学）
d3) 峰村宏明、水落憲和、磯谷順一、山崎聡、山部紀久夫「高電界ストレス後のシリコン酸化膜の損傷評価（II）ステップエッチングによるESR測定」第49回応用物理学関係連合講演会（3/27-30, 2002,東海大学）
d4) 山崎聡、水落憲和、安田哲二、磯谷順一、酒井滋樹、門島勝、生田目俊秀「高誘電率絶縁膜中における局在電子準位の直接評価 - カソードルミネッセンスによる評価」第49回応用物理学関係連合講演会（3/27-30, 2002,東海大学）
d5) 水落憲和、山崎聡、滝澤春樹、森下憲雄、大島武、伊藤久義、磯谷順一「4H-SiC中におけるC3V対称を持つ電荷-1を持つSi単原子空孔のESRによる研究」日本物理学会（9/6-9, 2002, 中部大学）
d6) 二子渉、水落憲和、安田哲二、磯谷順一、山崎聡「Si(100)基板上での極薄SiO2成長時における界面欠陥のESRその場観察」第63回応用物理学会学術講演会（9/24, 2002, 新潟大学）
d7) 水落憲和、二子渉、西澤正泰、磯谷順一、山崎聡「低温UHV-ESR装置の開発とSi(111)-7×7表面の電子状態に関する研究」第41回電子スピンサイエンス学会年会、（10/28-30, 2002, 日本化学会講堂）
d8) 水落憲和、山崎聡、滝澤春樹、森下憲雄、大島武、伊藤久義、磯谷順一「4H-SiC中における電荷-1を持つSi単原子空孔の構造と電子状態のESRによる研究　～四面体対称からの歪みと基底四重項状態について～」第41回電子スピンサイエンス学会年会（10/28-30, 2002,日本化学会講堂）
d9) 磯谷順一、水落憲和、滝澤春樹、森下憲雄、大島武、伊藤久義「電子線照射した4H-SiC中の欠陥のESR評価」SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第11回講演会（11/20-22, 2002, 法政大学）

2003

d10) 水落憲和、山崎聡、磯谷順一、渡辺幸志、大串秀世「CVDホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜中における水素関連欠陥のESRによる研究」第50回応用物理学関係連合講演会（3/27-30, 2003, 神奈川大学）
d11) 山崎聡、水落憲和「ESRによるHfO2ゲート絶縁膜におけるトラップ凖位の直接観察」第50回応用物理学関係連合講演会（3/27-30, 2003, 神奈川大学）
d12) 磯谷順一、水落憲和、大島武、森下憲雄、神谷富裕「SiCのイオン注入のESR評価：高温で安定な欠陥」第50回応用物理学関係連合講演会（3/27-30, 2003, 神奈川大学）
d13) 磯谷順一、大島武、森下憲雄、神谷富裕、伊藤久義「SiC中の浅いドナーのスピン緩和」日本物理学会（3/28-31, 2003, 東北大学）
d14) 水落憲和、小倉政彦、渡辺幸志、磯谷順一、大串秀世、山崎聡「ホウ素ドープCVDホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜中における水素関連欠陥のESRによる研究」第64回応用物理学会学術講演会 (8/30-9/2, 2003, 福岡大学)
d15) 磯谷順一「SiC中の不純物(窒素、リン、ホウ素)のスピン緩和」第13回格子欠陥フォーラム{原子・分子操作を用いた欠陥・ナノ構造の制御}（9/23-28, 2003, 青山学院大学）
d16) 片桐雅之、小泉聡、磯谷順一、神田久生「ホウ素ドープ{111}ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製」第17回ダイヤモンドシンポジウム（11/27-28, 2003, 青山学院大学）
d17) 水落憲和、小倉政彦、渡辺幸志、磯谷順一、大串秀世、山崎聡「ESRによるCVDホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜中における水素関連欠陥の研究」第17回ダイヤモンドシンポジウム（11/27-28, 2003, 青山学院大学）

2004

d18) 片桐雅之、小泉聡、磯谷順一、神田久生「低濃度リンドープn型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製」第51回応用物理学関係連合講演会 (3/30, 2004, 東京工科大学)
d19) 片桐雅之、磯谷順一、小泉聡、神田久生「電子スピン共鳴によるリンドープダイヤモンド薄膜の評価」第51回応用物理学関係連合講演会 (3/30, 2004, 東京工科大学)
d20) 磯谷順一、野澤秀彰、梅田享英、大島武、森下憲雄、神谷富裕「SiC中のドナー・アクセプターの位相緩和」日本物理学会第59回年次大会 (3/27-30, 2004, 福岡大学)
d21) 梅田享英、片桐雅之、石塚雄也、水落憲和、磯谷順一、大島武、森下憲雄、神谷富裕「ワイドギャップ半導体のイオン照射ドーピングのミクロ評価」第13回TIARA研究発表会（6/28-29, 2004, 高崎シティホール, 高崎市）
d22) 片桐雅之、磯谷順一、小泉聡、神田久生「電子スピン共鳴によるリンドープホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の欠陥評価」第65回応用物理学会学術講演会（9/1-4, 2004, 東北学院大学）
d23) 山崎雄一、石川健治、水落憲和、山崎聡「電子スピン共鳴法による水素プラズマ照射におけるダイヤモンド損傷の評価」第65回応用物理学会学術講演会（9/1-4, 2004, 東北学院大学）
d24) 水落憲和、渡辺幸志、磯谷順一、大串秀世、山崎聡「CVDホモエピタキシャルダイヤモンドにおける欠陥の[CH4]/[H2]依存性の研究」第65回応用物理学会学術講演会（9/1-4, 2004, 東北学院大学）
d25) 水落憲和、渡辺幸志、加藤宙光、小倉政彦、李成奇、大串秀世、山崎聡、磯谷順一「CVDホモエピタキシャルダイヤモンドにおける水素の伴った炭素ダングリングボンドのESRによる研究」第43回電子スピンサイエンス学会年会（11/10-12, 2004, 共立薬科大学）
d26) 水落憲和、渡邊幸志、加藤宙光、小倉政彦、磯谷順一、大串秀世、山崎聡「CVDホモエピタキシャルダイヤモンドにおける欠陥生成の合成条件依存性と生成機構」第18回ダイヤモンドシンポジウム（11/29-30, 2004, 産業技術総合研究所, つくば市）
d27) 加藤宙光、渡邊幸志、水落憲和、李成奇、小倉政彦、山崎聡、大串秀世「ダイヤモンドの半導体特性に及ぼす気相合成圧力の効果」第18回ダイヤモンドシンポジウム（11/29-30, 2004, 産業技術総合研究所, つくば市）
d28) 小倉政彦、李成奇、陳益鋼、渡邊幸志、加藤宙光、水落憲和、山崎聡、大串秀世「電子デバイス用高品質ホウ素ドープダイヤモンド薄膜Ⅱ」第18回ダイヤモンドシンポジウム（11/29-30, 2004, 産業技術総合研究所, つくば市）
d29) 山崎雄一、水落憲和、齋藤丈靖、石川健治、寒川誠二、山崎聡「電子スピン共鳴法によるICPエッチングにおけるダイヤモンド表面損傷の評価」第18回ダイヤモンドシンポジウム（11/29-30, 2004, 産業技術総合研究所, つくば市）
d30) 山崎聡、山崎雄一、水落憲和、石川健二、寒川誠二「ダイヤモンド室温水素処理に伴う欠陥生成」第18回ダイヤモンドシンポジウム（11/29-30, 2004, 産業技術総合研究所, つくば市）
d31) 片桐雅之、磯谷順一、梅田享英、小泉聡、神田久生「ダイヤモンド中のリンドナーの電子スピン共鳴」第18回ダイヤモンドシンポジウム（11/29-30, 2004, 産業技術総合研究所, つくば市）
d32) 片桐雅之、磯谷順一、梅田享英、小泉聡、神田久生「電子スピン共鳴によるリンドープホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の欠陥評価」第18回ダイヤモンドシンポジウム（11/29-30, 2004, 産業技術総合研究所, つくば市）
d33) 鈴木真理子、小泉聡、片桐雅之、小野富男、吉田博昭、佐久間尚志、酒井忠司「C-V測定によるPドープホモエピタキシャルダイヤモンド中のドナー濃度の評価」第18回ダイヤモンドシンポジウム（11/29-30, 2004, 産業技術総合研究所, つくば市）

2005

d34) 磯谷順一、梅田享英、N.T. Son、A. Henry、E. Janzen、A. Gali「SiC中の燐ドナーの電子スピン共鳴評価」第52回応用物理学関係連合講演会（3/29-4/1, 2005, 埼玉大学）
d35) 梅田享英、石塚雄也、磯谷順一、森下憲雄、大島武、伊藤久義「4H-SiC中のSI5/HEI4センターのEPR解析」第52回応用物理学関係連合講演会（3/29-4/1, 2005, 埼玉大学）
d36) 片桐雅之、磯谷順一、小泉聡、神田久生「ダイヤモンドの燐ドナーの電子スピン共鳴：構造と電子状態」日本物理学会第60回年次大会（3/24-27, 2005, 東京理科大学野田キャンパス）
d37) 片桐雅之、小泉聡、磯谷順一、神田久生「低濃度リンドープn型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製（II）」第52回応用物理学関係連合講演会（3/29-4/1, 2005, 埼玉大学）
d38) 鈴木真理子、小泉聡、片桐雅之、小野富男、吉田博昭、佐久間尚志、酒井忠司「C-V測定によるリンドープn型ダイヤモンドのドーピング特性および電気的特性」第52回応用物理学関係連合講演会（3/29-4/1, 2005, 埼玉大学）
d39) 小倉政彦、水落憲和、山崎聡、大串秀世「ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜の重水素プラズマ処理によるパッシベーション効果」第52回応用物理学関係連合講演会（3/29-4/1, 2005, 埼玉大学）
d40) 山崎雄一、石川健治、水落憲和、山崎聡「室温水素プラズマ照射によるダイヤモンド損傷の評価」第52回応用物理学関係連合講演会（3/29-4/1, 2005, 埼玉大学）
d41) 磯谷順一、片桐雅之、水落憲和、梅田享英、大島武、森下憲雄、伊藤久義「イオン照射によるドーピングと量子ビット形成」第14回TIARA研究発表会（6/24, 2005, 高崎シティホール, 高崎市）
d42) 山崎雄一、石川健治、寒川誠二、水落憲和、李成奇、牧野俊晴、山崎聡「低エネルギー酸素プラズマ処理によるダイヤモンド損傷の評価」第66回応用物理学会学術講演会（9/7～11, 2005, 徳島大学）
d43) 水落憲和、渡辺幸志、加藤宙光、新妻潤一、関口隆史、磯谷順一、大串秀世、山崎聡「CVDホモエピタキシャルダイヤモンドにおける水素関連欠陥の光学特性に与える影響」第66回応用物理学会学術講演会（9/7～11, 2005, 徳島大学）
d44) 水落憲和、山崎聡、瀧澤春樹、森下憲雄、大島武、伊藤久義、梅田享英、磯谷順一「パルスENDORによる4H-SiC中におけるシリコン空孔(TV2a)のスピン多重度と電荷の研究」第44回電子スピンサイエンス学会年会（10/24-10/26, 2005, 仙台市戦災復興記念会）
d45) 水落憲和、渡辺幸志、新妻潤一、関口隆史、磯谷順一、大串秀世、山崎聡「CVDホモエピタキシャルダイヤモンドにおける水素関連欠陥のESRとカソードルミネッセンスによる研究　―光学特性に与える影響―」第44回電子スピンサイエンス学会年会（10/24-10/26, 2005, 仙台市戦災復興記念会）
d46) 水落憲和、渡辺幸志、新妻潤一、関口隆史、磯谷順一、大串秀世、山崎聡「CVDホモエピタキシャルダイヤモンドにおける水素関連欠陥の光学特性に与える影響の研究」第19回ダイヤモンドシンポジウム（11/24-25, 2005, 大阪大学）

2006

d47) 水落憲和、渡辺幸志、加藤宙光、新妻潤一、関口隆史、磯谷順一、山崎聡、大串秀世「重水素を用いたプラズマCVDダイヤモンド合成における欠陥濃度低減化」第53回応用物理学関係連合講演会（3/22-26, 2006、武蔵工大）

2007

d48) 梅田享英、印出知代、磯谷順一、森下憲雄、大島武、伊藤久義「炭化ケイ素中の炭素/シリコン関連欠陥準位の光誘起EPR評価」第54回応用物理学関係連合講演会28a-N-4（3/27-30, 2007, 青山学院大）
d49) 大崎純一、梅田享英、小此木堅祐、大湯静憲「フッ素注入による欠陥制御を行ったDRAMセルの電子スピン共鳴分光評価」第68回応用物理学会学術講演会6a-ZE-1（9/4-8, 2007, 北海道工業大）

2008

d50) 水落憲和、P. Neumann、R. Florian、T. Gaebel、渡辺幸志、磯谷順一、山崎聡、F. Jelezko、J. Wrachtrup「ダイヤモンド中の単一NV中心における核スピンによるベル状態の生成と検出」第63回日本物理学会年次大会（3/24, 2008, 近畿大学）
d51) 水落憲和、P. Neumann、R. Florian、T. Gaebel、渡辺幸志、磯谷順一、山崎聡、F. Jelezko、J. Wrachtrup「ダイヤモンド中の単一NV中心における13Cの核スピンによる多量子ビット化の研究」第55回応用物理学関係連合講演会（3/27, 2008, 日大船橋キャンパス）
d52) 梅田享英、磯谷順一、森下憲雄，大島武、伊藤久義「電子スピン共鳴分光法による4H-SiC中の格子間炭素欠陥の観察」第55回応用物理学関係連合講演会28a-A-10（3/28, 2008, 日大船橋キャンパス）
d53) 梅田享英、磯谷順一、森下憲雄，大島武、伊藤久義、A. Gali「電子スピン共鳴分光と第一原理計算による4H-SiC中の格子間炭素欠陥の同定」第69回応用物理学学術講演会2p-CE-4（9/2, 2008, 中部大学）
d54) 大崎純一、梅田享英、小此木堅祐、大湯静憲「溝ゲート構造トランジスタの電流検出電子スピン共鳴分光評価」第69回応用物理学学術講演会2a-G-9（9/2, 2008, 中部大学）

2009

d59) 水落憲和、P. Neumann、R. Florian、J. Beck、中村和郎、渡辺幸志、磯谷順一、山崎聡、F. Jelezko、J. Wrachtrup「C核スピン濃度を制御したダイヤモンド中のNV中心における単一スピンコヒーレンス制御」第56回応用物理学関係連合講演会（3月, 2009, 筑波大学）
d60) 水落憲和、P. Neumann、R. Florian、J. Beck、中村和郎、D. Twitchen、渡辺幸志、山崎聡、F. Jelezko、J. Wrachtrup「核スピンバス中における単一NV中心のスピンコヒーレンス」第64回日本物理学会年次大会（3/27, 2009, 立教大学池袋）
d61) 水落憲和「ダイヤモンドを用いた量子情報処理」（招待講演）第20回量子情報技術研究会（5月, 2009, 広島大学）
d62) 水落憲和「ダイヤモンド中の単一NV中心～室温での単一光子発生と単一スピン操作」（招待講演）第5回量子ナノ材料セミナー（7/29, 2009, 埼玉大学）
d63) 梅田享英、江崎加奈、磯谷順一、小杉亮治、福田憲司、森下憲雄、大島武「4H-SiC MOSFET界面の電流検出電子スピン共鳴分光（EDMR）評価」第70回応用物理学会学術講演会（9/9-11, 2009, 富山大学）
d64) 水落憲和「ダイヤモンド中の単一NV中心　～室温での光による単一スピン検出と操作～」（招待講演）第10回エクストリーム・フォトニクス研究会（11/4-5, 2009）
d65) 磯谷順一、角谷均、中村和郎、花屋博秋、佐伯誠一、小野田忍、大島武、森下憲雄、島田愛子、水田幸男「ダイヤモンド中の[NV]-センターのアンサンブル系のスピン緩和：T1, T2*, T2」第48回電子スピンサイエンス学会年会（11/10-12, 2009, 神戸大学）
d66) 水落憲和、P. Neumann、R. Florian、中村和郎、渡辺幸志、山崎聡、F. Jelezko、J. Wrachtrup「ダイヤモンド中の単一NV中心における多量子ビット化と単一スピンコヒーレンス制御」（受賞講演）第48回電子スピンサイエンス学会年会（11/10-12, 2009, 神戸大学）
d67) 磯谷順一、大島武、小野田忍、森下憲雄、谷口尚、渡邊賢司、神田久生、角谷均「NVセンターの量子情報処理・磁束計への応用の課題と欠陥制御」第23回ダイヤモンドシンポジウム（11/18-20, 2009, 千葉工業大学）
d68) 水落憲和、P. Neumann、R. Florian、中村和郎、渡辺幸志、山崎聡、F. Jelezko、J. Wrachtrup「単一NV中心における同位体炭素（13C, 12C）を用いた量子情報研究」第23回ダイヤモンドシンポジウム（11月, 2009, 千葉工業大学）
d69) 水落憲和「ダイヤモンド中のスピンを用いた量子情報固体素子」（招待講演）電子情報技術産業協議会（JEITA）スピントロニクス分科会（12月, 2009, 東京）

2010

d70) 磯谷順一、中村和郎、角谷均、谷口尚、神田久生「FT-ESRを用いたダイヤモンド中の窒素の高感度定量」第57回応用物理学関係連合講演会（3/17-20, 2010, 東海大学）
d71) 吉國翔太、関剛斎、新庄輝也、鈴木義茂、白石誠司、水落憲和、山崎聡「グラファイト及びダイヤモンド上強磁性金属薄膜成長の観察」第57回応用物理学関係連合講演会（3/17-20, 2010, 東海大学）
d72) 梅田享英、磯谷順一、大島武、小野田忍、森下憲雄「シリコン中のフッ素-空孔欠陥の電子スピン共鳴観察」第57回応用物理学関係連合講演会（3/17-20, 2010, 東海大学）
d73) 磯谷順一、大島武、小野田忍、森下憲雄、花屋博明、谷口尚、渡邊賢司、神田久生、角谷均「ダイヤモンドのNVセンターの高濃度作成とスピン緩和」日本物理学会第65会年次大会（3/20-23, 2010, 岡山大学）
d74) 水落憲和「同位体制御したダイヤモンドにおけるスピンコヒーレンスの研究」（受賞記念講演）日本物理学会第65会年次大会（3/20-23, 2010, 岡山大学）

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Other materials (その他の発表)

e1) 水落憲和、山崎聡、磯谷順一「CVDダイヤモンド薄膜のESR研究」NEW DIAMOND（Japan New Diamond Forum会誌）、20巻, 4号, p. 6-11 (2004).
e2) 水落憲和「CVDホモエピタキシャルダイヤモンドにおける水素の伴った炭素ダングリングボンドのESRによる研究」電子スピンサイエンス（電子スピンサイエンス学会誌）、vol. 3, p. 50-51 (2005).
e3) 片桐雅之、小泉聡、磯谷順一、神田久生「ダイヤモンドへの低濃度リンドーピング」 NEW DIAMOND（Japan New Diamond Forum会誌）、21巻，2号，p. 20-21 (2005).
e4) 日刊工業新聞2006年3月30日(木)「DRAM電荷保持時間大幅延長―エルピーダなど新技術」エルピーダメモリ(株)、日本電気(株)、筑波大学・梅田享英；エルピーダメモリ株式会社NEWS RELEASE「欠陥を修復できる技術を物理現象レベルで検証することに成功」
e5) 朝日新聞・九州版2006年5月11日(木)「『欠陥修復技術』研究最前線～電流検出電子スピン共鳴法を駆使し、DRAMの性能向上へ」梅田享英.
e6) 梅田享英「先端DRAMにおけるデータ保持時間の変動現象のメカニズム ―単一点欠陥が引き起こすデバイス劣化現象―」応用物理 9 (9月号), 1037-1040 (2007).
e7) 日刊工業新聞2008年6月6日(金)「量子もつれ　室温で生成, ダイヤモンド固体素子, 筑波大などが成功」
e8) 日経産業新聞2008年6月6日(金)「量子もつれ　室温で実現　～筑波大など, ダイヤ利用～」
e9) 茨城新聞2008年6月6日(金)「次世代コンピュータ実現へ」
e10) 梅田享英、萩原茂、水落憲和、磯谷順一「特定分野の学術論文をピンポイントで抽出し、いかに検索するか？ Defect dat@baseの実践例」情報管理 51 (12月号), 653-666 (2008).
e11) 水落憲和、山崎聡、渡辺幸志、P. Neumann、R. Florian、T. Gaebel、P. Hemmer、V. Jacques、F. Jelezko、J. Wrachtrup「ダイヤモンドにおける複数の単一スピン間の多粒子間エンタングルメント」Japanese Scientists in Science 2008―サイエンス誌に載った日本人研究者, p. 22 (2009).
e12) 水落憲和「ダイヤモンド中の単一NV中心を用いた量子情報処理」日本物理学会誌 64, 910 (2009).
e13) 水落憲和「ダイヤモンド中のNV中心の単一スピンコヒーレンス制御」固体物理 45, 27 (2010).